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天津大學2020年微電子學院碩士研究生入學自命題科目調整通知

來源: 學府考研
瀏覽: 1988
2019-09-12

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摘要：2020年全國碩士研究生入學考試命題標準大綱已于7月8日正式公布，接下來全國各研招院校將陸續(xù)發(fā)布2020考研專業(yè)課大綱。

　　以下是學府考研老師整理的“天津大學2020年微電子學院碩士研究生入學自命題科目調整通知”相關內容，以供各位考生參考。

　　考天津大學2020年碩士研究生考生：

　　2019年碩士研究生招生業(yè)已結束，2020年碩士研究生入學考試即將于2019年10月份開始網(wǎng)上報名。我院2020年碩士研究生招生考試部分自命題科目及初試大綱調整，現(xiàn)予以說明：

　　序號原考試科目及代碼變更說明初試大綱

　　1813半導體物理或電介質物理合并為813半導體物理與器件修改，見附件

　　2808電磁場與電磁波取消科目，報考相應專業(yè)可選用815信號與系統(tǒng)

　　其他科目暫不修訂，科目設置及初試大綱請參考《天津大學2019年碩士學位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學公布2019年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》。若有變動，以本年度9月份公布的《天津大學2020年碩士學位研究生招生專業(yè)目錄》及《天津大學公布2020年碩士研究生初試考試自命題科目大綱》為準。請及時關注天津大學研究生招生信息網(wǎng)(yzb.tju.edu.cn)最新信息。

　　學院咨詢電話：27405716

　　附1：813半導體物理與器件大綱

　　813-半導體物理與器件

　　一、考試的總體要求

　　本課程為本專業(yè)主干專業(yè)基礎課，要求考生掌握半導體物理的基本概念、p-n結、MOS結構、雙極晶體管、MOS晶體管等基本原理和應用。

　　二、考試的內容及比例

　　(一)考試內容要點：

　　第一部分：(50%)

　　1、半導體能帶結構、半導體有效質量、空穴、雜質能級;

　　2、熱平衡狀態(tài)下半導體載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體和雜質半導體的載流子濃度，簡并半導體和重摻雜效應;

　　3、半導體的導電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應、熱載流子的概念,半導體電阻率與溫度、雜質濃度的關系，體內負微分電導;

　　4、非平衡載流子：非平衡載流子的產生、復合、壽命、擴散長度、準費米能級，愛因斯坦關系，一維穩(wěn)定擴散，光激發(fā)載流子衰減;

　　5、p-n結、MOS結構：平衡與非平衡p-n結特點及其能帶圖，pn結理想和非理想I-V特性，p-n結電容概念與擊穿機制，p-n結隧道效應、肖特基勢壘二極管;

　　6、MOS結構表面電場效應，理想與實際MOS結構C-V特性，MOS系統(tǒng)的性質(固定電荷、可動離子、界面態(tài)對C-V特性的影響)，表面電場對p-n結特性的影響;

　　第二部分：(50%)

　　7、雙極晶體管的基本結構、原理，少數(shù)子分布，低頻電流增益和非理想效應;

　　8、雙極晶體管的等效電路模型、頻率特性和開關特性;

　　9、MOSFET的基本結構、原理，閾值電壓，電流電壓關系，擊穿特性

　　10、MOSFET的小信號模型和頻率特性;

　　11、MOSFET的非理想特性：亞閾值特性、溝道長度調制效應、短溝道效應和;

　　12、結型場效應晶體管的結構和基本工作原理;

　　13、光器件與功率器件的原理、特點與應用。

　　(二)比例：

　　兩部分考試內容各占50%。

　　三、試卷題型及比例

　　1、概念與問答題：40%;

　　2、論述題：30%;

　　3、計算與推導題：20%;

　　4、實驗與綜合題：10%。

　　四、考試形式及時間

　　考試形式均為筆試。考試時間為3小時(滿分150)。

　　五、參考書目

　　半導體物理學，(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。

　　半導體物理與器件，(第四版)，趙毅強、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社。

　　晶體管原理與設計，陳星弼張慶中等，電子工業(yè)出版社。

　　天津大學微電子學院

　　2019年6月20日

　　附件：20190620微電子學院2020年招生自命題調整說明

　　天津大學微電子學院2020年碩士研究生招生自命題調整說明

　　報考天津大學2020年碩士研究生考生：

序號	考試科目及代碼	變更說明	初試大綱
1	813半導體物理或電介質物理	合并為813半導體物理與器件	修改，見附件
2	808電磁場與電磁波	取消科目，報考相應專業(yè)可選用815信號與系統(tǒng)
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